Nueva memoria

La empresa samsung anuncio el desarrollo de una nueva memoria llamada PRAM
(Phase-change Random Access Memory) y poseen un prototipo de 512 Mbits.
La misma se puede escribir 30 veces mas rapido que la memoria flash, y es 10 veces mas durable. Tambien seria mas pequenia y barata de producir ya que el proceso require menos etapas. Enlace a reporte de EEtimes.

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